[发明专利]铁电型存储单元、存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的铁电型存储单元、存储器及其制备方法。本发明在铁电绝缘介质层和有机半导体层之间引入了一层用于改善铁电绝缘介质层界面性质的有机绝缘修饰层。该有机绝缘修饰层与有机半导体层之间的界面兼容性好，能够提高有机半导体层在其表面的结晶性，从而提高铁电型存储器的载流子迁移率。

主权项

一种基于有机场效应晶体管的铁电型存储单元，其特征在于，该铁电型存储单元包括：导电衬底；形成于所述导电衬底上的铁电绝缘介质层；形成于所述铁电绝缘介质层上的用于提高所述有机半导体层结晶性的有机绝缘修饰层；形成于所述有机绝缘修饰层上的有机半导体层；以及形成于所述有机半导体层上方两侧的源极和漏极。