[发明专利]一种复合自由层STT-RAM存储单元无效
| 申请号： | 201110076492.9 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102298962A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 邓宁;张树超;焦斌;陈培毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极；其中，复合自由层采用复合材料CoFeSiO，绝缘氧化层为Mgo，固定层包括钴铁硼CoFeB层、钌Ru层、钴铁CoFe层。本发明的复合自由层可以降低磁化翻转的临界电流密度、提高自由层的热稳定性，并且降低了制造难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 自由 stt ram 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种复合自由层STT‑RAM存储单元，其特征是该存储单元自上而下包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极；所述复合自由层为钴铁硅氧CoFeSiO薄膜；所述复合自由层采用铁磁材料靶和二氧化硅SiO2靶共溅射方法制备；所述复合自由层完成溅射制备后，在300‑350摄氏度下退火。
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