[发明专利]光存储单元、光存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110076540.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723437A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/05;G11B7/26;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中，通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层，光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中，当光照撤掉后载流子依然存储在纳米点层中，不会消失，因此，回滞效应在光照撤掉后依然存在，从而开发了有机场效应晶体管在光存储器方面的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于有机场效应晶体管的光存储单元，其特征在于，该光存储单元包括：导电衬底；形成于所述导电衬底上的绝缘介质层；形成于所述绝缘介质层上的至少两层有机半导体层，所述至少两层有机半导体层内包含纳米点存储层，所述纳米点存储层的材料为金属材料或金属氧化物材料；形成于所述有机半导体体层上方两侧的源极与漏极。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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