[发明专利]纯MOS结构高精度电流基准源及其产生方法有效
| 申请号： | 201110076654.9 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102279616A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张启东;贾雪绒 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种纯MOS结构高精度电流基准源及其产生方法，以解决现有技术中电路复杂，占用面积较大，实现起来困难的问题。本发明中的纯MOS结构高精度电流基准源电路利用耗尽型的MOS管的阈值电压为负的特性，外加合适阻值的电阻，来产生负温度系数电流，该负温度系数电流与可调节的正温度系数电流来相加，产生零温度系数电流。本发明主要元件采用MOS管，整个电路较之于传统方案使用的元器件明显减少；应用很简便的方法即得到一个零温度系数的基准电流。 | ||
| 搜索关键词： | mos 结构 高精度 电流 基准 及其 产生 方法 | ||
【主权项】：
一种高精度电流基准源产生方法，包括以下步骤：(1)正温度系数电流与负温度系数电流汇合；(2)对汇合形成的电流经过镜像输出，该镜像输出分为两个支路，其中一个支路即作为高精度电流基准源的输出，同时另一个支路的电流作为自偏置电压产生电路的输入参考电流；(3)所述自偏置电压产生电路输出偏置电压，该偏置电压通过压控恒流源反馈控制正温度系数电流，使得正温度系数电流与负温度系数电流汇合形成零温度系数电流。
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