[发明专利]一种下转换材料应用于晶硅光伏电池的方法无效
| 申请号： | 201110077197.5 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102185019A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张青红;郭明星;王海风;李耀刚;王宏志 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种下转换材料应用于晶硅光伏电池的方法，包括：(1)制备下转换材料；(2)将上述下转换材料在电池组件封装用的乙烯-醋酸乙烯脂共聚物或聚乙烯醇缩丁醛材料合成和成型工艺过程中进行掺杂，掺杂量为聚合物材料总重量的0-20％。本发明工艺简单，成本低，简化了复杂的下转换光谱材料的应用工艺，加入下转换材料后有效增加了晶硅光伏电池光的吸收，从而提高晶硅光伏电池的光电转换效率，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转换 材料 应用于 晶硅光伏 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种下转换材料应用于晶硅光伏电池的方法，包括：将下转换材料在电池组件封装用的乙烯‑醋酸乙烯脂共聚物或聚乙烯醇缩丁醛材料合成和成型工艺过程中进行共混掺杂，掺杂量为聚合物材料总重量的0‑20％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
