[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201110077477.6 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723272A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李春龙;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体制造方法，在虚设晶圆上沉积一层保护膜，使保护膜完全包覆虚设晶圆，这样，在热氧化工艺中，虚设晶圆不会被氧化，从而减少了虚设晶圆的消耗，降低了生产成本，并且避免了由于虚设晶圆被氧化而产生的颗粒物，使欲氧化晶圆免于沾染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，包括：提供欲氧化晶圆；提供虚设晶圆；将所述欲氧化晶圆和所述虚设晶圆置于热氧化设备中，进行热氧化处理；其特征在于：在进行所述热氧化处理之前，在所述虚设晶圆外表面沉积一层保护膜，所述保护膜完全包覆所述虚设晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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