[发明专利]半导体外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110077488.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723408A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一支持半导体外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；以及在基底的外延生长面生长一掺杂的半导体外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在所述基底的外延生长面生长一GaN低温缓冲层；在所述GaN低温缓冲层表面生长一N型GaN层；在所述N型GaN层表面生长一InGaN/GaN多量子阱层；在所述InGaN/GaN多量子阱层表面生长一P型GaN层；以及进行退火处理。
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