[发明专利]用于场发射器的基片、其制造方法及其应用无效

专利信息
申请号: 201110077756.2 申请日: 2011-03-30
公开(公告)号: CN102208307A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 海因里希·蔡宁格 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01J5/08 分类号: H01J5/08;H01J9/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 谢强
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于场发射器的基片,该基片的制造方法及该基片的应用,特别是在计算机断层造影上的应用。该基片具有一个带有碳混合结构的涂层,该碳混合结构基于同素异形的石墨、石墨烯和纳米管。本发明涉及基于石墨层状结构的场发射器。通过本发明,首次获得一种用于场发射器的基片,该基片利用了基本上垂直地在该基片上立起并排列的“石墨峰”,以及利用了在导电的基片上的这些峰和在这些峰之间放置的CNTs的混合材料。
搜索关键词: 用于 发射器 制造 方法 及其 应用
【主权项】:
一种用于场发射器的基片,其中,该基片是导电的,并且在该基片上涂覆了石墨烯层状结构,该石墨烯层状结构波状地从涂层中突起或者以不同的角度竖立和/或部分地也被直立地设置。
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