[发明专利]半导体组件及其制作方法

摘要

本发明提供一种高电压半导体组件的制作方法及半导体组件。此方法包含指定第一、第二与第三区于一基材中。第一与第二区分别为半导体组件的源极与漏极将形成的区域。第三区分开第一与第二区。此方法还包含形成一有沟槽的植入屏蔽层至少部分地位于第三区上方。此方法亦包含将数个掺质植入第一、第二与第三区中。在植入期间，有沟槽的植入屏蔽层保护在其下方的第三区的部分。此方法还包含以一方式回火基材，以造成掺质在第三区中扩散。

主权项

一种半导体组件的制作方法，其特征在于，包含：形成一植入屏蔽层于一基材上，该植入屏蔽层具有多个屏蔽构件，该些屏蔽构件由多个开口所隔开，其中该些开口分别对齐该基材的多个第一区，且该些屏蔽构件分别对齐该基材的多个第二区；透过该些开口，将多个掺质离子植入该基材的该些第一区中；以及以一方式回火该基材，以使植入的该些掺质离子从该些第一区扩散至该些第二区中，该方式是使回火该基材的步骤后的该些第一区的多个掺质浓度程度等于该些第二区的多个掺质浓度程度。