[发明专利]非挥发性记忆胞及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆胞及其制造方法。该非挥发性记忆胞包括：基底、穿隧介电层、浮置栅极、隔离结构、栅间介电层、控制栅极以及第一掺杂区与第二掺杂区。基底具有多个沟渠。穿隧介电层配置于基底上。浮置栅极配置于穿隧介电层上。隔离结构位于沟渠内。隔离结构包括第一绝缘层与第二绝缘层。第二绝缘层位于沟渠中。第一绝缘层位于第二绝缘层与基底之间且从沟渠侧壁延伸覆盖到浮置栅极的部分侧壁，其高度高于第二绝缘层的高度，并且其与第二绝缘层的材料不同。因此本发明的非挥发性记忆胞的隔离结构可以避免电子从基底击穿栅间介电层至控制栅极所衍生的漏电流问题，而且可以避免两个浮置栅极之间的干扰问题。

主权项

一种非挥发性记忆胞，其特征在于其包括：一基底，该基底具有多个沟渠；一穿隧介电层，配置于该基底上；一浮置栅极，配置于该穿隧介电层上；一隔离结构，位于该沟渠内，该隔离结构包括一第一绝缘层与一第二绝缘层，其中该第一绝缘层，位于该第二绝缘层与该基底之间，且从该沟渠侧壁延伸覆盖到该浮置栅极的部分侧壁，并且该第一绝缘层的高度高于该第二绝缘层的高度；一控制栅极，配置于该浮置栅极与该隔离结构上；以及一栅间介电层，配置于该浮置栅极与该控制栅极之间以及该隔离结构与该控制栅极之间。