[发明专利]高效晶体硅太阳能电池结构及其制造方法无效
申请号: | 201110079208.3 | 申请日: | 2011-03-31 |
公开(公告)号: | CN102157576A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 蒋维楠 | 申请(专利权)人: | 镇江大全太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 212211 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于太阳能电池的制造技术,涉及一种高效晶体硅太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括有硅片,硅片正面具有减反射层,背面具有铝背场;通过丝网印刷形成的负极主栅线位于硅片正面,正极主栅线位于硅片背面,用于收集载流子的负极副栅线也位于硅片背面;与负极副栅线对应的位置,开有贯通硅片正面和背面的通孔,使负极副栅线与硅片正面相通;在负极主栅线与负极副栅线之间的硅片基体上还开有连接孔,连接孔中充满银浆,使位于硅片正面的负极主栅线与位于硅片背面的负极副栅线导电连接。本发明既可提高电池片效率,又能实现组件封装与正负极分别位于电池片两面的焊接封装设备相兼容。 | ||
搜索关键词: | 高效 晶体 太阳能电池 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高效晶体硅太阳电池结构,包括有硅片(1),硅片正面具有减反射层(2),背面具有铝背场(3);通过丝网印刷形成的负极主栅线(4)位于硅片正面,正极主栅线(5)位于硅片背面,其特征是:用于收集载流子的负极副栅线(6)也位于硅片背面;与负极副栅线(6)对应的位置,开有贯通硅片正面和背面的通孔(7),使负极副栅线与硅片正面相通;在负极主栅线(4)与负极副栅线(6)之间的硅片基体上还开有连接孔(8),连接孔中充满银浆(9),使负极主栅线与负极副栅线导电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江大全太阳能有限公司,未经镇江大全太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110079208.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种花圃窗帘
- 下一篇:全密封节能隔音推拉门窗
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的