[发明专利]高效晶体硅太阳能电池结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110079208.3 申请日: 2011-03-31
公开(公告)号: CN102157576A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 蒋维楠 申请(专利权)人: 镇江大全太阳能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 代理人: 夏哲华
地址: 212211 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于太阳能电池的制造技术,涉及一种高效晶体硅太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括有硅片,硅片正面具有减反射层,背面具有铝背场;通过丝网印刷形成的负极主栅线位于硅片正面,正极主栅线位于硅片背面,用于收集载流子的负极副栅线也位于硅片背面;与负极副栅线对应的位置,开有贯通硅片正面和背面的通孔,使负极副栅线与硅片正面相通;在负极主栅线与负极副栅线之间的硅片基体上还开有连接孔,连接孔中充满银浆,使位于硅片正面的负极主栅线与位于硅片背面的负极副栅线导电连接。本发明既可提高电池片效率,又能实现组件封装与正负极分别位于电池片两面的焊接封装设备相兼容。
搜索关键词: 高效 晶体 太阳能电池 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种高效晶体硅太阳电池结构,包括有硅片(1),硅片正面具有减反射层(2),背面具有铝背场(3);通过丝网印刷形成的负极主栅线(4)位于硅片正面,正极主栅线(5)位于硅片背面,其特征是:用于收集载流子的负极副栅线(6)也位于硅片背面;与负极副栅线(6)对应的位置,开有贯通硅片正面和背面的通孔(7),使负极副栅线与硅片正面相通;在负极主栅线(4)与负极副栅线(6)之间的硅片基体上还开有连接孔(8),连接孔中充满银浆(9),使负极主栅线与负极副栅线导电连接。
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