[发明专利]复合氮化物半导体结构的外延成长有效
| 申请号： | 201110079465.7 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102174708A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·尼杰哈瓦;D·布尔;L·华盛顿;J·史密斯;R·斯蒂文斯;D·埃格莱希姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/40;H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氮化物 半导体 结构 外延 成长 | ||
【主权项】：
一种处理一或多个基材以至少部分形成一复合氮化物设备的方法，包含：在放置在第一处理室的处理区域中的一或多个基材的表面上沉积III1‑N结构，其中沉积该III1‑N结构包括流入含镓前驱物和第一含氮前驱物至该一或多个基材的表面；在受控制的环境中将该一或多个基材从第一处理室传送到第二处理室；在第二处理室的处理区域中沉积III2‑N结构，其中沉积III2‑N结构包括流入含III族元素前驱物、含镓前驱物和第二含氮前驱物至该一或多个基材的表面。
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