[发明专利]增加芯片测试效率的装置及其方法有效
| 申请号： | 201110079825.3 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102201268A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘士晖;洪森富;陈和颖 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增加芯片测试效率的装置，包含一式样产生器、一读取单元、一逻辑运算器及一判断单元。该式样产生器用以对一存储器芯片内的每一记忆存储区块区域写入一逻辑电位；该读取单元用以读取该记忆存储区块区域内所有记忆存储单元储存的逻辑电位；该逻辑运算器用以对该记忆存储区块区域内所有记忆存储单元储存的逻辑电位执行一第一逻辑运算，以产生一对应于该记忆存储区块区域的第一逻辑运算结果，以及对多个第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，以产生一对应于该存储器芯片的第二逻辑运算结果；及该判断单元根据该第二逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 芯片 测试 效率 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种增加芯片测试效率的方法，其特征在于，包含：利用一式样产生器对一存储器芯片内的多个第一存储区域中的至少一第一存储区域写入一第一逻辑电位，对所有其余第一存储区域写入与该第一逻辑电位相反的逻辑电位；利用该式样产生器对该存储器芯片内的多个第二存储区域同时写入一第二逻辑电位；读取该存储器芯片的每一存储区域内所有存储单元储存的逻辑电位；对该存储区域内所有存储单元储存的逻辑电位执行一第一逻辑运算，以产生一对应于该存储区域的第一逻辑运算结果；及对多个第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，以产生一对应于该存储器芯片的第二逻辑运算结果。
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