[发明专利]一种表面集成碳纳米结构的碳微结构及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110080231.4 申请日: 2011-03-31
公开(公告)号: CN102167281A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 汤自荣;刘丹;史铁林;张雷;习爽 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/04
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种表面集成碳纳米结构的碳微结构的制备方法,包括:(1)预处理及光刻步骤,得到图案化的有机聚合物微结构;(2)沉积金属步骤:在所述有机聚合物微结构上沉积一层或多层金属层,作为催化剂;和(3)热解步骤:在惰性气体或其混合气体环境下进行多步热解,各步热解温度不同;通过上述步骤,即可形成表面集成碳纳米结构的碳微结构。本发明还提供了一种应用上述方法制备的碳微结构。本发明将厚胶光刻、金属沉积和热解相结合,提高了微结构的表面积,本发明的方法运用于微机电系统中,具有工艺简便、图形精细、结构牢固、成本低的特点,制备的碳微结构可作为微电极应用于微型电池、生物芯片、微型电化学传感器等微机电领域中。
搜索关键词: 一种 表面 集成 纳米 结构 微结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种表面集成碳纳米结构的碳微结构的制备方法,包括如下步骤:(1) 预处理及光刻步骤,得到图案化的有机聚合物微结构(1.1)预处理:光刻前在基片上刻蚀与所述有机聚合物微结构对应的微坑结构;(1.2)匀胶:在预处理后的基片上涂覆光刻胶,利用匀胶机进行匀胶;并对匀胶后的基片进行前烘处理;(1.3)曝光:将前烘处理后的基片使用掩膜版进行对准曝光,使曝光区域与基片上的微坑阵列重合,曝光后将基片进行中烘处理;(1.4)显影:对中烘处理后的基片进行显影,最后用去离子水冲洗,并进行后烘处理,得到有机聚合物微结构;(2)沉积金属步骤:在所述有机聚合物微结构上沉积一层或多层金属层,作为催化剂;(3)热解步骤:在惰性气体或其混合气体环境下进行多步热解,其中各步热解温度不同;通过上述步骤,即可形成表面集成碳纳米结构的碳微结构。
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