[发明专利]光滑表面硅纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201110080372.6 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102126724A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;谢卫强 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料制备技术领域的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，通过首先对硅片进行湿化学清洗，然后在含有氢氟酸和硝酸银的混合溶液中利用无电化学沉积法在硅片表面沉积银纳米颗粒层，经含有氢氟酸和双氧水的混合溶液进行化学刻蚀，最后用硝酸去除银纳米颗粒得到硅纳米线阵列。本发明通过在化学刻蚀体系中简单调节氧化剂双氧水的浓度和刻蚀时间而实现了长度可控的光滑表面硅纳米线的制备，从而解决了在金属辅助化学刻蚀中制备表面缺陷较少硅纳米线的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 光滑 表面 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过首先对硅片进行湿化学清洗，然后在含有氢氟酸和硝酸银的混合溶液中利用无电化学沉积法在硅片表面沉积银纳米颗粒层，经含有氢氟酸和双氧水的混合溶液进行化学刻蚀，最后用硝酸去除银纳米颗粒得到硅纳米线阵列。
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