[发明专利]在金属基底上制备具有相变特性纳米二氧化钒薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110080653.1 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102181827A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 梁继然;胡明;后顺保 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C28/00;C23C16/40;C23C14/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在金属基底表面制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的方法，步骤为：(1)对硅基片表面清洗，(2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜，(3)采用磁控溅射方法，在二氧化硅/硅基片上沉积金属薄膜，(4)采用射频磁控溅射方法在金属表面制备氧化钒薄膜，(5)将制得的氧化钒/金属/二氧化硅/硅多层薄膜结构置于管式退火炉中于400-500℃热处理，得到具有相变特性的二氧化钒薄膜。本发明的方法可与MEMS工艺兼容，可控性能高，薄膜性能稳定，金属态与半导体态区别明显，相变过程连续可逆，可用于对其他微结构进行调控。本发明极大地拓展了二氧化钒薄膜在电子学、光学方面的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 基底 制备 具有 相变 特性 纳米 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在金属基底表面制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的方法，具有如下步骤：(1)对硅基片表面清洗；(2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜；(3)采用磁控溅射方法，在上述二氧化硅/硅基片上沉积金属薄膜；(4)采用射频磁控溅射方法在金属表面制备氧化钒薄膜，工艺条件为：本底真空度为(2‑3)×10‑4Pa，溅射时的工作气压为1‑2Pa，所用功率为180W，溅射时间3‑8分钟，Ar、O2气体流量分别为20和0.4SCCM；(5)将制得的氧化钒/金属/二氧化硅/硅多层薄膜结构置于管式退火炉中进行热处理，热处理温度为400‑500℃，退火时间为1‑2小时，从而得到性能良好的具有相变特性的二氧化钒薄膜。
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