[发明专利]一种倒装发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110080882.3 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102185073A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰;吴志强;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光二极管及其制作方法，其采用基于衬底转移技术的薄膜芯片加透明衬底架构，并且通过将金属P电极隔离布置于非发光区，从而有效提高发光二极管的取光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒装发光二极管，其特征在于包括：倒装薄膜发光元件和透明永久衬底;所述倒装薄膜发光元件包括发光外延层、透明导电层、隔离层、P电极和N电极；所述发光外延层依次包括p型外延层、有源层和n型外延层，并且该发光外延层包含p端面和n端面两个主表面，以p端面为参考，发光外延层包括发光台面区域和非发光区域；所述n型外延层具有两个主表面，第一主表面为出光面，第二主表面与有源层接触，所述N电极形成于非发光区域的n型外延层第二主表面上；隔离层形成于N电极和n型外延层之上；透明导电层形成于发光台面区域的p型外延层之上和前述隔离层之上并且通过该隔离层与N电极和n型外延层之间相互电绝缘；P电极形成于透明导电层之上并且被布置在非发光区域范围内；透明永久衬底与倒装薄膜发光元件的p端面通过透明连接层形成粘合。
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