[发明专利]功率晶体管结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110081027.4 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102738229A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄勤;白玉明 | 申请（专利权）人： | 无锡维赛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国家高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率晶体管结构及制作方法。该结构包括下电极、衬底、漂移区、两个第一导电类型区、两个第二导电类型体区、两个栅区单元、隔离结构和上电极；其中两个第二导电类型体区分别位于两个第一导电类型区与漂移区之间，两个栅区单元分别位于两个第二导电类型体区之上，隔离结构覆盖两个栅区单元表面，上电极覆盖隔离结构表面并同时与两个第一导电类型区和两个第二导电类型体区电导通。当衬底采用第一导电类型时，该结构可作为场效应管；采用第二导电类型衬底时，该结构可作为绝缘栅双极型晶体管。这种结构的栅极实际覆盖面积小，能减小栅极电荷Qg和栅漏电荷Qgd及源漏导通电阻Rdson，提高器件性能，其制作工艺简单，生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管结构，其特征在于，该结构包括：漏极；第一导电类型衬底，位于所述漏极之上；第一导电类型漂移区，位于所述第一导电类型衬底之上；两个第一导电类型源区，分别位于所述第一导电类型漂移区上方的两侧；两个第二导电类型体区，分别位于两个第一导电类型源区与第一导电类型漂移区之间；两个栅区单元，分别位于所述两个第二导电类型体区之上；隔离结构，覆盖于所述两个栅区单元的表面，并使两个栅区单元之间电隔离；源极，覆盖于所述隔离结构表面，并同时与两个第一导电类型源区和两个第二导电类型体区电导通。
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