[发明专利]一种单晶高k栅介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110081044.8 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102732954A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 屠海令;张心强;杜军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶高K栅介质材料及其制备方法。本发明的单晶高K栅介质材料由单晶P型InP基片和在它上面沉积的氧化镧的单晶薄膜组成。本发明采用特定的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化镧靶材，以单晶P型InP片作为基片，在基片上使用激光脉冲沉积的方法形成氧化镧的单晶薄膜，通过改变激光烧蚀的能量、脉冲频率来调节薄膜的晶态。本发明制备的立方相氧化镧高K栅介质薄膜为单晶薄膜；并且具有较高的介电常数和非常小的漏电流密度。异质外延高k氧化镧与InP沟道材料形成的堆栈层适用于下一代超大集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶高 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶高K栅介质材料，其特征在于：该栅介质材料包括单晶P型InP基片和采用脉冲激光烧蚀法在该单晶P型InP片上外延生长的立方相氧化镧单晶薄膜，其中所述单晶P型InP基片作为沟道材料，其电阻系数为1～10Ω·cm；所述单晶薄膜的厚度为1～10nm。
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