[发明专利]一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法无效
| 申请号： | 201110081666.0 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157547A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 周建;耿开远;朱法扬;李建新 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/332 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法，一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区；其生产方法，包括短基区扩散步骤，所述短基区扩散步骤包括镓预淀积和硼预淀积，所述镓预淀积温度T=1200±20℃，时间t=1.5h，浓度R□=100-200Ω/□，再分布温度T=1250±10℃，时间t=18-25h，结深Xj=50-70μm，所述硼预淀积温度T=1080±20℃，时间t=3h，浓度R□=3-7Ω/□，再分布温度T=1200±10℃，时间t=5h，结深Xj=3-7μm。本发明的优点是：电压高、电流耐量大、抗干扰性强、通态压降小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶闸管 电压 电流 短基区 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述基片位于隔离穿通区之间，其特征在于：所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区，所述镓短基区和浓硼短基区均设于隔离穿通区之间。
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