[发明专利]化学机械研磨系统及使用该系统研磨晶片的方法有效
| 申请号： | 201110081814.9 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102729140A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/07 | 分类号： | B24B37/07;H01L21/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对晶片进行化学机械研磨方法，所述晶片上形成有待研磨材料层，所述方法使用研磨垫对所述晶片进行化学机械研磨，其中，在进行所述化学机械研磨的同时，使所述晶片在所述研磨垫的径向上以由如下方式确定的摆动振幅摆动：所述摆动振幅根据第一关系曲线和所述研磨垫研磨过的晶片数量来确定，所述第一关系曲线为研磨后所述晶片上边缘区域与中心区域的厚度差达到目标值时，所述摆动振幅与所述研磨垫研磨过的晶片数量之间的关系曲线。根据本发明的化学机械研磨方法通过调整研磨过程中晶片沿研磨垫径向的摆动振幅，可以补偿研磨后中心区域与边缘区域的厚度差，进而避免随研磨垫使用时间的延长晶片研磨后表面形貌改变。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 系统 使用 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种对晶片进行化学机械研磨的方法，所述晶片上形成有待研磨材料层，所述方法使用研磨垫对所述晶片进行化学机械研磨，其中，在进行所述化学机械研磨的同时，使所述晶片在所述研磨垫的径向上以由如下方式确定的摆动振幅摆动：所述摆动振幅根据第一关系曲线和所述研磨垫研磨过的晶片数量来确定，所述第一关系曲线为研磨后所述晶片上边缘区域与中心区域的厚度差达到目标值时，所述摆动振幅与所述研磨垫研磨过的晶片数量之间的关系曲线。
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