[发明专利]有源区的形成方法和STI沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 201110081936.8 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738058A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 肖玉洁;朱旋;李健;杨兆宇;李丽丽 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实施例公开了一种有源区的形成方法和STI沟槽的形成方法，有源区的形成方法包括：提供半导体衬底；建立氮化层厚度与有源区关键尺寸的对应关系；根据所述对应关系确定氮化层厚度，并形成氮化层；在氮化层上形成具有有源区图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成有源区。本发明通过预先建立氮化层厚度与有源区关键尺寸的对应关系，再根据所述对应关系确定氮化层厚度，按照所确定的厚度在所述垫氧化层上形成氮化层，继而刻蚀形成有源区，正是发现了有源区关键尺寸与氮化层厚度之间的关系，即氮化层厚度越小，有源区的关键尺寸均匀性就越好，即在一定程度上减小氮化层厚度就可以改善有源区关键尺寸的均匀性，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 形成 方法 sti 沟槽 | ||
【主权项】：
一种有源区的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区，所述阱区表面覆盖有垫氧化层；建立氮化层厚度与有源区关键尺寸的对应关系；根据所述对应关系确定氮化层厚度，按照所确定的厚度在所述垫氧化层上形成氮化层；在所述氮化层上形成具有有源区图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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