[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110081942.3 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102737992A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述半导体衬底中形成有源/漏区；在所述半导体衬底的表面和所述栅极结构的表面上形成预非晶化注入保护层；对所述半导体衬底进行预非晶化注入，以在所述源/漏区中靠近所述半导体衬底的表面的区域中形成非晶层；去除所述预非晶化注入保护层；在所述半导体衬底上形成金属层并且执行退火处理，以形成至少覆盖所述源/漏区的金属硅化物。根据本发明的方法能够有效抑制现有技术中在采用PAI注入之后硅化物的横向生长，控制横向生长和纵向生长的比例，并且防止现有技术中硅化物工艺前PAI注入所引起的隧穿效应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述半导体衬底中形成有源/漏区；在所述半导体衬底的表面和所述栅极结构的表面上形成预非晶化注入保护层；对所述半导体衬底进行预非晶化注入，以在所述源/漏区中靠近所述半导体衬底的表面的区域中形成非晶层；去除所述预非晶化注入保护层；在所述半导体衬底上形成金属层并且执行退火处理，以形成至少覆盖所述源/漏区的金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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