[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110081968.8 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102737994A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 邵群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：a）提供衬底、在所述衬底上形成栅介质层、在所述栅介质层上形成伪栅极、以及形成覆盖所述栅介质层和所述伪栅极的刻蚀停止层；b）在所述前端器件层结构上形成金属前介电层；c）平坦化所述金属前介电层至露出所述伪栅极的上表面；d）去除所述伪栅极，以形成用于容纳金属栅极的开口；e）在所述开口内和金属前介电层的表面上形成光刻胶层；f）平坦化所述光刻胶层和突出的蚀刻停止层；g）去除所述开口内的所述光刻胶层；h）在所述开口内形成金属栅极。所述方法能够在去除伪栅极后有效地降低了密集区的碟形化现象，进而克服了用于形成栅极的金属的残留以及栅极厚度的减低导致的缺陷，从而提升了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：a）提供衬底、在所述衬底上形成栅介质层、在所述栅介质层上形成伪栅极、以及形成覆盖所述栅介质层和所述伪栅极的刻蚀停止层；b）在所述蚀刻停止层上形成金属前介电层；c）平坦化所述金属前介电层至露出所述伪栅极的上表面；d）去除所述伪栅极，以形成用于容纳金属栅极的开口；e）在所述开口内和金属前介电层的表面上形成光刻胶层；f）平坦化所述光刻胶层和突出的蚀刻停止层；g）去除所述开口内的所述光刻胶层；h）在所述开口内形成金属栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110081968.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压瓶装置
- 下一篇：一种模切机废边料回收装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
