[发明专利]FZO/金属/FZO透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110082032.7 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102174689A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;贝亮亮 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的FZO/金属/FZO透明导电薄膜，在衬底上自下而上依次包括掺氟氧化锌薄膜层、金属薄膜层和掺氟氧化锌薄膜层。其制备是采用射频磁控溅射法生长FZO薄膜，采用直流磁控溅射法生长金属薄膜。本发明方法所用设备简单，可控性强，制备出来的薄膜光学性能和电学性能优良，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | fzo 金属 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
FZO/金属/FZO透明导电薄膜，其特征是衬底上自下而上依次包括掺氟氧化锌薄膜层、金属薄膜层和掺氟氧化锌薄膜层。
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