[发明专利]电子器件和半导体器件无效
| 申请号： | 201110082523.1 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102223065A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 鲇川一仁;笠井宣利;山内研也;金泽孝光;饭岛大辅;喜多村守;中村诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155;H02M1/42;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子器件和半导体器件。本发明提供一种通过控制与有源滤波方法的PFC功率源的输出功率相关的PFC功率源的开关电路在PFC功率源中在全负载区域中提高效率的方法。提供控制对电感器进行充电/放电的一对两个开关。电流容量小的MOSFET开关用作开关之一，并且大电流容量的IGBT开关用作另一开关。当用于对PFC功率源的输出端子的电压进行分压的分压电路的输出小于阈值电压时仅操作MOSFET开关。当该输出超过阈值电压时也操作IGBT开关。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其中AC全波整流器电路、平滑电感器和整流二极管串联耦合，并且平滑电容器接地于所述整流二极管与输出端子之间，所述电子器件包括：控制电路；以及第一开关和第二开关，用于控制所述平滑电感器并且并联接地，其中所述控制电路控制所述第一开关和所述第二开关中的各开关。
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