[发明专利]一种常压合成聚碳硅烷的方法有效
| 申请号： | 201110082858.3 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102120822A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 薛金根;邹治春;谢征芳;王浩;王军 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种常压合成聚碳硅烷的方法，其包括以下步骤：(1)在高纯氮气的保护下，将固体原料聚二甲基硅烷在360℃以上氮气气氛中裂解转化成液态聚硅烷；(2)在液态聚硅烷中添加相当于液态聚硅烷重量15-100%的固体粉末状原料聚二甲基硅烷，搅拌均匀，密封，在高纯氮气保护下，升温至280～330℃，反应2～6h；(3)然后程序升温至370～420℃，反应6～12h，冷却，即成。本发明反应温度低，合成产率达到60%以上；不会改变先驱体PCS的结构；设备简单；容易实现批量合成，合成步骤少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常压 合成 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
一种常压合成聚碳硅烷的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在高纯氮气的保护下，将固体粉末状原料聚二甲基硅烷在360℃以上氮气气氛中裂解转化成液态聚硅烷；（2）在液态聚硅烷中添加相当于液态聚硅烷重量15‑100%的固体粉末状原料聚二甲基硅烷，搅拌均匀，密封，在高纯氮气保护下，升温至280～330℃，反应2～6h；（3）然后程序升温至370～420℃，反应6～12h，冷却，即成。
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