[发明专利]动态晶圆对位方法及曝光扫瞄系统有效
申请号: | 201110083177.9 | 申请日: | 2011-03-31 |
公开(公告)号: | CN102486995A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 邱垂福;施江林 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/68;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供动态晶圆对位方法及曝光扫瞄系统,曝光扫瞄系统包含曝光设备、光学感测设备以及晶圆平台,并具有扫瞄路径。此方法包含以下步骤:(a)提供具有多个曝光照射区的晶圆,每个曝光照射区上具有多个对位记号;(b)在晶圆上形成光阻层;(c)利用光学感测设备沿着扫瞄路径侦测位于曝光照射区的一部份的对位记号,得到曝光照射区的此部份的晶圆对位的补偿值;(d)将晶圆对位的补偿值实时回馈至晶圆平台;(e)沿着扫瞄路径对曝光照射区的此部份的光阻层进行曝光;(f)沿着扫瞄路径连续地重复步骤(c)至(e),直至曝光照射区的全部光阻层都被曝光;以及(g)重复步骤(f),直至晶圆上全部曝光照射区的光阻层都被曝光。 | ||
搜索关键词: | 动态 对位 方法 曝光 系统 | ||
【主权项】:
一种在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中所述曝光扫瞄系统具有扫瞄路径,包含曝光设备、光学感测设备以及晶圆平台,所述方法包括以下步骤:(a)提供晶圆,所述晶圆具有多个曝光照射区,其中每个曝光照射区上具有多个对位记号;(b)在所述晶圆上形成光阻层;(c)利用所述光学感测设备,沿着所述扫瞄路径,侦测位于一曝光照射区的一部份的所述对位记号,得到针对所述一曝光照射区的所述一部份的晶圆对位的补偿值;(d)将所述一曝光照射区的所述一部份的晶圆对位的所述补偿值实时回馈至所述晶圆平台;(e)在实时地将所述一曝光照射区的所述部份的晶圆对位的所述补偿值回馈至所述晶圆平台之后,利用所述曝光设备,沿着所述扫瞄路径,对位于所述一曝光照射区的所述一部份的所述光阻层进行曝光;(f)在所述一曝光照射区,沿着所述扫瞄路径连续地重复步骤(c)至(e),直至位于所述一曝光照射区的全部的所述光阻层都被曝光;以及(g)重复步骤(f),直至位于所述晶圆上全部的所述多个曝光照射区的所述光阻层都被曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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