[发明专利]单晶硅铸锭的生产方法无效
| 申请号： | 201110083260.6 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102732943A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李红波;张滢清;张愿成;李宏军;董海成;朱旭 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅铸锭的生产方法，其步骤包括：(1)将籽晶按照相同晶向放置于坩埚底部的籽晶槽中，向坩埚中加入硅料和掺杂剂；(2)熔化籽晶上方的硅料及掺杂剂，并将籽晶部分熔化；(3)采用坩埚下降法促使硅熔体由底部向上定向凝固，由未熔化的籽晶诱导准单晶的生长，最终形成单晶硅铸锭。本发明得到的单晶硅具有位错密度少、氧致堆垛层错少、晶向一致性佳的特点，可以满足单晶硅太阳能电池的制绒制程，将单晶硅片沿<100>晶向腐蚀成金字塔状的绒面，增加电池对光的吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 铸锭 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅铸锭的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将籽晶按照相同晶向放置于坩埚底部的籽晶槽中，然后向坩埚中加入多晶硅料和掺杂剂将籽晶覆盖；B、将坩埚置于铸锭炉中，抽真空后通入氩气，在氩气保护下加热熔化籽晶上方的多晶硅料和掺杂剂，并使靠近多晶硅料和掺杂剂的部分籽晶熔化，形成硅熔体；C、采用坩埚下降法促使硅熔体由底部向上定向凝固，由未熔化的籽晶诱导准单晶的生长，最终形成单晶硅铸锭；D、冷却，取锭。
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