[发明专利]溅射用靶无效
| 申请号： | 201110083662.6 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102121092A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 高桥明久;浮岛祯之;太田淳;谷典明;石桥晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 熊玉兰;高旭轶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供电阻率低的透明导电膜。本发明的成膜方法中，将以ZnO为主成分、添加有Al2O3和TiO2的靶(11)在真空氛围中进行溅射，在基板(21)表面上形成透明导电膜后，对该透明导电膜在250℃～400℃的温度下进行加热进行退火处理。得到的透明导电膜通过以ZnO为主成分、添加了Al和Ti，电阻率降低。通过本发明成膜的透明导电膜适于FDP等的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
溅射用靶，该靶以ZnO为主成分，往所述靶中添加包含Al2O3的主添加氧化物使包含Al的主添加元素的原子数相对于Zn原子数100个为1个～10个，从由HfO2和ZrO2构成的副添加氧化物组中选择1种以上的副添加氧化物，将上述选择的所述副添加氧化物添加到所述靶中使上述选择的副添加氧化物中的Hf和Zr的总计原子数相对于Zn的原子数100个为0.5个～5个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110083662.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
