[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110084194.4 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102185058A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 于洪波 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物LED结构，该结构在量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度；本发明还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，该方法在量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，所述多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层，其特征在于，所述多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层。
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