[发明专利]溅射靶及其制备方法无效
| 申请号： | 201110084349.4 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102206804A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | M·施洛特;A·赫尔佐克;S·施奈德-贝茨;白向钰;O·罗伊朵 | 申请（专利权）人： | W.C.贺利氏有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;B22F3/16;B22F3/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;金小芳 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及溅射靶及其制备方法，该溅射靶包含基质材料和金属成分，该基质材料含有高折射率的第一氧化物。该第一氧化物选自由如下氧化物组成的组：任何氧化物变体形式的氧化钛、任何氧化物变体形式的氧化铌、任何氧化物变体形式的氧化钒、任何氧化物变体形式的氧化钇、任何氧化物变体形式的氧化钼、任何氧化物变体形式的氧化锆、任何氧化物变体形式的氧化钽、任何氧化物变体形式的氧化钨以及任何氧化物变体形式的氧化铪、或其混合物。该组合物还包含第二氧化物，该第二氧化物为任何氧化物变体形式的镧系元素氧化物、或任何氧化物变体形式的氧化钪、或任何氧化物变体形式的氧化镧。该基质材料还包含孔隙。该溅射靶应用于高功率密度下的溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其含有包含如下成分的组合物：基质材料，其包含第一氧化物；以及金属成分，其中所述氧化物具有高折射率；并且其中所述第一氧化物选自由如下氧化物组成的组：任何氧化物变体形式的氧化钛、任何氧化物变体形式的氧化铌、任何氧化物变体形式的氧化钒、任何氧化物变体形式的氧化钇、任何氧化物变体形式的氧化钼、任何氧化物变体形式的氧化锆、任何氧化物变体形式的氧化钽、任何氧化物变体形式的氧化钨以及任何氧化物变体形式的氧化铪、或其混合物。
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