[发明专利]一种提高重掺砷单晶轴向电阻率均匀性的方法

摘要

本发明一种提高重掺砷单晶轴向电阻率均匀性的方法，所述方法包括如下次序的步骤：（1）随着硅单晶的生长进度调整炉压，随着单晶的生长，炉压由高到低逐步降低，且炉压最高为70torr，最低为10torr；（2）执行步骤（1）同时调整Ar气流量，Ar气流量逐步提高，且流量最高为80slpm，最低为20slpm。本方法的优点是：提高了重掺砷硅单晶的轴向电阻率均匀度：（ρmax-ρmin）/ρmin＜28%；降低了扩散层掺杂剂砷的浓度，降低了组分过程发生的可能性，提高了成晶率。

主权项

一种提高重掺砷单晶轴向电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括如下次序的步骤：步骤一、随着硅单晶的生长进度调整炉压，随着单晶的生长，炉压由高到低逐步降低，且炉压最高为70torr，最低为10torr；步骤二、执行步骤一过程的同时调整Ar气流量，Ar气流量逐步提高，且流量最高为80slpm，最低为20slpm；步骤三、执行步骤一和步骤二过程中：当硅单晶的生长长度为10%时，炉压为70 torr；Ar气流量为20 slpm；当硅单晶的生长长度为20%时，炉压为67.5torr；Ar气流量为34.6 slpm；当硅单晶的生长长度为30%时，炉压为64 torr；Ar气流量为44.4 slpm；当硅单晶的生长长度为40%时，炉压为60.5 torr；Ar气流量为51.2 slpm；当硅单晶的生长长度为50%时，炉压为55.7 torr；Ar气流量为58.3 slpm；当硅单晶的生长长度为60%时，炉压为50 torr；Ar气流量为63.1 slpm；当硅单晶的生长长度为70%时，炉压为43.8 torr；Ar气流量为68 slpm；当硅单晶的生长长度为80%时，炉压为35 torr；Ar气流量为72.7 slpm；当硅单晶的生长长度为90%时，炉压为24 torr；Ar气流量为77.1 slpm；当硅单晶的生长长度为100%时，炉压为10 torr；Ar气流量为80 slpm；获得的重掺砷硅单晶的轴向电阻率均匀度：（ρmax‑ρmin）/ρmin＜28%。