[发明专利]用加强冷却方法在晶粒-基板焊接过程降低精密半导体装置的金属堆栈中的机械应力

摘要

本发明涉及用加强冷却方法在晶粒-基板焊接过程降低精密半导体装置的金属堆栈中的机械应力。在连接半导体晶粒与封装基板的回流工艺中，在冷却过程中，减少在半导体晶粒的敏感金属化系统中温度梯度与热诱导机械力。为了达到这个目的，将一或多个加热间隔导入冷却相，因而有效减少温度差。在其他例子中，中心区域可被冷却，提供适当的局部受限机制，例如局部受限的气体流与类似物。因此，当以无铅接触方法为基础加工精密金属化系统，可得到想要的整体工艺时间短，而不造成产率损失增加。

主权项

一种组合半导体晶粒与封装基板的方法，所述方法包括：加热包括所述半导体晶粒与所述封装基板的组合装置至高于焊接材料的熔点温度，所述焊接材料是形成在所述封装基板的接触结构与所述半导体晶粒的接触结构之间；使用第一冷却间隔，用以起始所述焊接材料的固化；在使用所述第一冷却间隔之后，使用至少一中间加热步骤；以及在所述至少一中间加热步骤之后，使用第二冷却间隔。