[发明专利]一种抑制闪存编程干扰的工艺方法有效
| 申请号： | 201110084807.4 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102184896A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制闪存存储器编程干扰的工艺方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明通过在标准闪存工艺中增加一步倾角的施主杂质离子注入来减小衬底/漏端的PN结杂质梯度，从而减小衬底和漏端之间PN结内的电场，减小编程干扰。与此同时保持沟道/漏端的PN结的杂质梯度，从而维持编程所需的沟道/漏端的PN结电场，保证编程效率和速度。本发明可以在不增加光刻版数目的情况下，有效降低编程干扰，对提高闪存的可靠性有重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 闪存 编程 干扰 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制闪存编程干扰的工艺方法，其特征在于，闪存的标准工艺中引入一步离子注入，既在标准工艺的源漏注入以及侧墙形成以后，再进行离子杂质倾角注入，使得注入的离子杂质集中在沟道下面的衬底和源漏端的PN结处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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