[发明专利]一种多层氧化锆固态电解质复合芯片及其制备无效

专利信息
申请号: 201110084857.2 申请日: 2011-04-06
公开(公告)号: CN102226782A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 李静涛 申请(专利权)人: 上海远登环保科技发展有限公司
主分类号: G01N27/403 分类号: G01N27/403;C04B35/48;C04B35/622
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强
地址: 200137 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于芯片制备领域,具体提供了一种多层氧化锆固态电解质复合芯片及其制备方法。本发明的多层氧化锆固态电解质复合芯片由一种稳定氧化锆氧离子传导膜(1)和一种稳定氧化锆粘结隔离膜(2)交替叠合而成。稳定氧化锆氧离子传导膜采用摩尔比为8%左右的稳定氧化锆,以保证氧离子的传导;稳定氧化锆粘结隔离膜采用摩尔比为3%左右的稳定氧化锆,以提高整个复合芯片的机械性能;两种均采用氧化锆,以实现各层材料的热膨胀系数和收缩率的匹配。两种膜的粒径大小和添加成分不一致,导致结构酥密有别,利于有机物的烧除和薄膜之间的有机粘接。
搜索关键词: 一种 多层 氧化锆 固态 电解质 复合 芯片 及其 制备
【主权项】:
一种稳定氧化锆氧离子传导膜,其特征是,由稳定氧化锆与有机添加剂按照质量比为(55~70)∶(30~45)球磨混合形成浆料后流延而成;所述稳定氧化锆为(MO)x·(ZrO2)1‑x、(M2O3)x·(ZrO2)1‑x二元体系或(MO)x·(M2O3)y·(ZrO2)1‑(x+y)、(M2O3)x·(N2O3)y(ZrO2)1‑(x+y)三元体系;其中元素M和N均为Ca、Mg、Y、Cr、Al、Yb、Sc、Re、Ce中的任意一种;所述二元体系的x为0.03~0.20,三元体系的x取值为0.01~0.19,y取值为0.01~0.19;所述有机添加剂是按照质量比例松油醇∶聚乙二醇400∶邻苯二甲酸二乙酯∶聚乙烯醇缩丁醛为(5.8‑6.2)∶(4.8‑5.2)∶(7.8‑8.2)∶(5.8‑6.2)的比例混合后加入适量乙醇混合而成,适量乙醇是以适合流延的稠度为标准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海远登环保科技发展有限公司,未经上海远登环保科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110084857.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top