[发明专利]用于抛光半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201110084889.2 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102205521A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳;R·柯普尔特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于抛光半导体晶片的方法，其是利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的SiO2的牢固粘结磨料的抛光垫在送入包含碱性成分、不含固体且具有11至13.5的可变pH值的抛光剂水溶液的情况下进行的，其中所述抛光剂溶液在抛光过程中的pH值小于13，将所述pH值提高到13至13.5以结束抛光过程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
用于抛光半导体晶片的方法，其是利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的牢固粘结的SiO2磨料的抛光垫在送入包含碱性成分、不含固体且具有11至13.5的可变pH值的抛光剂水溶液的情况下进行的，其中所述抛光剂溶液在抛光过程中的pH值小于13，将所述pH值提高到13至13.5以结束抛光过程。
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