[发明专利]一种半金属二氧化钛纳米管阵列膜的生长方法及其应用无效
| 申请号： | 201110084992.7 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102162116A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王成伟;王林青;陈建彪 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C30B29/16;C30B29/62;C30B30/02 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 李琪 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半金属二氧化钛纳米管阵列膜的生长方法及其应用，生长时首先清洗纯钛片并制备抛光液；在抛光液中化学抛光清洗的纯钛片；室温下，将石墨和化学抛光后的纯钛片放入电解液，对纯钛片进行氧化；氧化的纯钛片放入乙二醇溶液浸泡后放入耐高温反应器中，在一定真空度、温度和通入混合气氛的条件下保温，然后在氩气气氛下自然冷却至室温,制得半金属二氧化钛纳米管阵列膜。将该阵列膜直接作为场致电子发射冷阴极。本发明生长方法便于工业化生产，能够制得性能优良、价格便宜、具有实用价值的半金属二氧化钛纳米管阵列膜，在场致电子发射显示材料方面有较好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化 纳米 阵列 生长 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种半金属二氧化钛纳米管阵列膜的生长方法，在工业用纯钛片上生长场发射性能优异、能直接作为场发射冷阴极的半金属二氧化钛纳米管阵列膜，其特征在于，该生长方法具体按以下步骤进行：步骤1：清洗纯钛片；按体积比1：4～8，将浓氢氟酸和浓盐酸混合形成抛光液；步骤2：将步骤1中清洗的纯钛片放入步骤1制得的抛光液中化学抛光10 s～180 s；步骤3：将石墨和步骤2中化学抛光后的纯钛片放入电解液，对该纯钛片进行氧化；步骤4：将步骤3中氧化后的纯钛片放入乙二醇溶液中浸泡4 h～12 h；步骤5：将步骤4浸泡后的纯钛片在真空度为1 Pa～200 Pa、温度为700℃～850℃、通入流速为10SCCM～12 SCCM混合气氛的条件下保温10 min～90 min，然后在氩气气氛下自然冷却至室温, 制得半金属二氧化钛纳米管阵列膜。
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