[发明专利]制造鳍状半导体器件结构的方法

摘要

一种制造鳍状半导体器件结构的方法。该方法首先提供有大块的半导体材料的衬底。该方法继续以由大块的半导体材料形成半导体鳍状结构，沉积绝缘材料覆盖半导体鳍状结构，使得绝缘材料充填毗邻半导体鳍状结构的空间，以及平坦化所沉积的绝缘材料和半导体鳍状结构以产生平坦表面。此后，进行更换栅极程序以形成横向覆盖半导体鳍状结构的栅极结构。

主权项

一种制造鳍状半导体器件结构的方法，该方法包括：由半导体材料层形成半导体鳍状结构；沉积覆盖该半导体鳍状结构的绝缘材料，使得该绝缘材料充填毗邻该半导体鳍状结构的空间，造成沉积的绝缘材料；由该沉积的绝缘材料产生平坦表面，该平坦的表面与该半导体鳍状结构的上表面相连；制造覆盖该平坦表面的伪栅极结构，该伪栅极结构横向覆盖该半导体鳍状结构；形成毗邻该伪栅极结构的侧壁的间隔物；去除该伪栅极结构而让该间隔物实质完整，以暴露该间隔物之间的该平坦表面；及以自我对准该间隔物的方式，选择性地蚀刻该间隔物之间定义的区域下方的一些该沉积的绝缘材料。