[发明专利]多鳍式静态随机存取存储器单元的布局

摘要

本发明提供一种多鳍式静态随机存取存储器(SRAM)单元的布局。该SRAM单元包括半导体基底上的多个鳍式有源区，其中鳍式有源区包括一对相邻且具有第一间隔的鳍式有源区以及与相邻鳍式有源区间具有第二间隔的一鳍式有源区，该第二间隔大于该第一间隔；多个鳍式场效应晶体管，其形成于鳍式有源区上，其配置为交叉耦合的第一和第二反相器以存储数据，以及存取数据的至少一端口；第一接触窗，其配置于第一和第二鳍式有源区之间并同时电气接触该第一和第二鳍式有源区；以及一第二接触窗，其配置于并电气接触第三鳍式有源区。本发明可缩减第一鳍式有源区的第一类型接触窗、第二鳍式有源区的第二类型接触窗以及SRAM单元面积，同时改进和保持SRAM单元的功能性和效能。

主权项

一种静态随机存取存储器，即SRAM单元，包括：多个鳍式有源区，其形成于一半导体基底上，其中所述多个鳍式有源区包括第一鳍式有源区、第二鳍式有源区和第三鳍式有源区，其中该第一鳍式有源区和该第二鳍式有源区相邻并且具有一第一间隔，该第三鳍式有源区与相邻的鳍式有源区间具有一第二间隔，该第二间隔大于该第一间隔；多个鳍式场效应晶体管，即FinFET，其形成于所述多个鳍式有源区之上，其中所述多个鳍式场效应晶体管配置为构成交叉耦合的第一反相器和第二反相器以存储数据，以及存取数据的至少一端口；一第一接触窗，其配置于该第一鳍式有源区和该第二鳍式有源区之间并电气耦接至该第一鳍式有源区和该第二鳍式有源区；以及一第二接触窗，其配置于该第三鳍式有源区之上并电气耦接至该第三鳍式有源区。