[发明专利]晶体生长工艺、晶体生长炉无效
| 申请号： | 201110086041.3 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102732944A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 于旭东;盛建明;胡董成 | 申请（专利权）人： | 江苏同人电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 江苏省镇江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶体生长工艺，包括：准备步骤、引晶、放肩、等径生长、以及降温和退火，放肩为：在引晶之后在保持发热体功率不变情形下，增加通向钨坩埚底部的冷媒流量使所生长晶体的直径长大；等径生长为：在冷媒流量达到设定值时保持发热体功率不变并持续第二预定时间，然后监控钨坩埚底部降温速度来控制晶体等径生长；通过红外温度计，控制冷媒流量、发热体功率、监控钨坩埚底部温度变化。还提供晶体生长炉，包括：钨丝网编织的发热体、被发热体包围的钨坩埚、支在钨坩埚底部的导热支架；控制发热体的功率及冷媒气体流量的红外温度计，与钨坩埚底部连接。本发明降低对工艺人员的经验要求，使晶体生长工艺简化以便于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体生长工艺，包括准备步骤、晶体引晶步骤、放肩步骤、等径生长步骤、以及降温和退火步骤，其特征在于，所述放肩步骤为：在完成晶体引晶之后，在保持晶体生长炉中发热体的功率不变的情形下，通过增加通向所述晶体生长炉中钨坩埚底部的冷媒气体流量，以使所生长晶体的直径持续长大；所述等径生长步骤为：在所述冷媒气体流量达到设定值时，继续保持所述发热体功率不变并持续第二预定时间，然后转而通过监控所述钨坩埚底部的降温速度来控制晶体的等直径生长；其中，通过红外温度计，控制所述冷媒气体流量、发热体的功率、以及监控所述钨坩埚底部的温度变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏同人电子有限公司，未经江苏同人电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110086041.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
