[发明专利]一种形成复合功能材料结构的方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种形成复合功能材料结构的方法。所述方法，包括如下步骤：注入原子种类作用于施主晶片，在离子注入投影射程周围形成脆弱区；将施主晶片和衬底晶片进行键合；对键合后的结构在低真空下进行两步退火热处理，使得脆弱区从施主晶片剥离，在衬底晶片上形成薄层结构；对于剥离后的施主晶片和含有薄层结构的衬底晶片进行处理，得到所要求厚度的施主材料和所需要的复合功能材料结构。本发明将退火过程放在低真空中进行，能够降低在外部对晶圆的压力，从而减少了晶圆内部微小缺陷生长、成熟的阻力；而且还降低热预算，有利于形成高质量的复合功能材料结构，提高了注入离子的剥离效率。

主权项

一种形成复合功能材料结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，注入原子种类作用于施主晶片，离子注入深度通过注入能量控制在所需要的投影射程内，在离子注入投影射程周围形成脆弱区；步骤2，将所述施主晶片和衬底晶片进行标准清洗工艺处理，表面离子激活处理，然后将所述施主晶片与所述衬底晶片进行键合；步骤3，对键合后的结构进行两步退火热处理：第一步退火处理以加强键合强度；第二步退火在低真空下进行，使得所述脆弱区从所述施主晶片剥离，在所述衬底晶片上形成薄层结构；步骤4，对于剥离后的施主晶片和含有薄层结构的衬底晶片，表面经过化学机械抛光处理，除去由于离子注入所形成的表面损伤，得到施主材料和复合功能材料结构。