[发明专利]荧光光谱法非接触测定压电材料的压电性能的方法无效

专利信息
申请号: 201110086797.8 申请日: 2011-04-07
公开(公告)号: CN102221541A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 陈恒智;杨彬;张明福;张锐;张治国;刘绍琴;曹文武 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;G01N1/28
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 荧光光谱法非接触测定压电材料的压电性能的方法,本发明涉及测定压电材料的压电性能的方法。本发明解决了现有的压电材料的压电性能检测时接触的过程较难控制,测量的速度较慢的技术问题。本方法:一、向压电材料中掺入稀土离子;二、在压电材料两侧镀上电极;三、极化后用常规方法测压电性能;四、将极化后压电材料用激光器激发,测量荧光信号的强度值;五、绘制荧光信号的强度值与压电性能的标准曲线;六、将待测压电材料中加入与步骤一中压电材料标准样相同的稀土离子,然后激发,测出荧光信号强度值,根据标准曲线上查出待测压电材料的压电性能值。本发明实现了非接触式实时快速测量,可以用于生产线上或使用中的压电材料的检测。
搜索关键词: 荧光 光谱 接触 测定 压电 材料 性能 方法
【主权项】:
荧光光谱法非接触测定压电材料的压电性能的方法,其特征在于荧光光谱法非接触测定压电材料的压电性能的方法按以下步骤进行:一、在制备压电材料时,向压电材料中掺入占压电材料物质的量的6%~8%的稀土离子,其中稀土离子为摩尔比为1~3∶5的Er3+离子和Yb3+离子或者稀土离子为摩尔比为1~3∶5的Tm3+离子和Yb3+离子,得到掺杂稀土离子的压电材料;二、在步骤一制备的掺杂稀土离子的压电材料的两侧镀上电极,其中一侧为透明电极,另一侧为透明电极或银电极,得到压电陶瓷样品;三、取步骤二制备的压电材料样品,用不同的电压极化,得到压电材料标准样,用现有的电学方法检测压电材料标准样的压电性能;四、用光谱法测定步骤三中的压电材料标准样的荧光信号的强度值;五、将相同极化电压下,经步骤三测得的压电材料标准样的压电性能与步骤四测得的荧光信号的强度值一一对应,以荧光信号的强度值为横作标,以压电材料标准样的压电性能为纵作标,绘制荧光信号的强度值与压电性能的标准曲线;六、将待测压电材料在制备时加入与步骤一中压电材料标准样相同的稀土离子,然后用光谱法测定待测压电材料的荧光信号的强度值,根据该荧光信号强度值在标准曲线上查出待测压电材料的压电性能值。
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