[发明专利]基于沟槽MOSFET的二极管的电压保护环及其制作方法

摘要

本发明提供一种基于沟槽MOSFET的二极管的电压保护环的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上具有器件区域和围绕器件区域的电压保护环区域；当器件区域中形成器件沟槽时，在电压保护环区域中同步形成至少一个环形沟槽；当器件沟槽中淀积栅极材料时，在环形沟槽中也同步淀积栅极材料，并对芯片表面做平坦化，直至露出半导体衬底；在芯片表面依次形成绝缘介质层和导电金属层，绝缘介质层将电压保护环区域完全覆盖。相应地，本发明还提供一种基于沟槽MOSFET的二极管的电压保护环。本发明的方法形成的电压保护环能够达到电压保护的要求，同时省略了阱的掩模版，简化了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

一种基于沟槽MOSFET的二极管的电压保护环的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上具有器件区域和围绕所述器件区域的电压保护环区域；当所述器件区域中形成器件沟槽时，在所述电压保护环区域中同步形成至少一个环形沟槽；当所述器件沟槽中淀积栅极材料时，在所述环形沟槽中也同步淀积所述栅极材料，并对芯片表面做平坦化，直至露出所述半导体衬底；在所述芯片表面依次形成绝缘介质层和导电金属层，所述绝缘介质层将所述电压保护环区域完全覆盖。