[发明专利]冷MOS超结结构的制造方法以及冷MOS超结结构无效
| 申请号： | 201110087263.7 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102184859A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 永福;陈雪萌;龚大卫 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种冷MOS超结结构的制造方法，包括步骤：提供N型半导体衬底；在N型半导体衬底上形成N型外延层；在N型外延层上刻蚀出深沟槽；在深沟槽中淀积重掺杂的多晶硅，填满深沟槽；将重掺杂的多晶硅中的杂质扩散到N型外延层中，形成杂质扩散区。相应地，本发明还提供一种冷MOS超结结构。本发明采用深沟槽刻蚀技术来制造冷MOS的超结结构，避免了传统的超结结构的制备中需要多次光刻、离子注入、推进以及外延生长等复杂工艺，有效降低了制造成本，并且克服了传统的“糖葫芦”形状的超结结构接合面不均匀，易造成冷MOS器件工作时发生漏电的缺点。本发明不但可以有效地提高功率MOS器件的击穿电压、大幅降低导通电阻，并且工艺简单、可控性好。 | ||
| 搜索关键词： | mos 结构 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种冷MOS超结结构的制造方法，包括步骤：提供N型半导体衬底；在所述N型半导体衬底上形成N型外延层；在所述N型外延层上刻蚀出深沟槽；在所述深沟槽中淀积重掺杂的多晶硅，填满所述深沟槽；将所述重掺杂的多晶硅中的杂质扩散到所述N型外延层中，形成杂质扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
