[发明专利]电流检测电路无效
| 申请号： | 201110087280.0 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102243262A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 久米智宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电流检测电路，其使用静电电容(12)和二极管(13)，在功率晶体管(2)的漏极电压上升时，使保护用MOSFET(7)的栅极电压上升。箝压电路(14)将保护用MOSFET(7)的栅极电压固定在规定的箝位电压(Vc)。电压控制电路(17)使检测晶体管(6)的漏极电压与保护用MOSFET(7)的源极电压实质一致。检测电路(40)对检测晶体管(6)的漏极电流进行检测。由此，即使在功率晶体管的电流检测电路的保护用MOSFET中产生基板偏压效应，也可在满足了保护用MOSFET的源极-栅极间的耐压的基础上，通过运算放大器负反馈至比较高的电压，高精度地检测负载电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 检测 电路 | ||
【主权项】：
一种电流检测电路，其特征在于，具备：第一半导体器件，其具有第一端子、第二端子和第一电流控制端子，且通过被施加给上述第一电流控制端子的控制电压，控制流过上述第一和第二端子间的电流；第二半导体器件，其具有与上述第一端子相连的第三端子、第四端子和第二电流控制端子，且构成为具有与上述第一半导体器件实质相同的结构，通过被施加给上述第二电流控制端子的上述控制电压，控制流过上述第三和第四端子间的电流；MOS场效应晶体管，其具有与上述第一半导体器件的第二端子相连的漏极、源极和栅极，且通过被施加给上述栅极的电压，控制流过上述漏极和上述源极间的电流；静电电容，其具备与上述MOS场效应晶体管的源极相连的一端、和与上述MOS场效应晶体管的栅极相连的另一端；整流元件，其具备与上述MOS场效应晶体管的栅极相连的阴极、和与输出规定的第一电源电压的第一电压源相连的阳极；箝压电路，其与上述MOS场效应晶体管的栅极相连，将上述MOS场效应晶体管的栅极的最大电压固定在规定的箝位电压；电压控制电路，其按照使上述第二半导体器件的第四端子的电压与上述MOS场效应晶体管的源极电压实质一致的方式进行控制；和检测电路，其检测流过上述第二半导体器件的第四端子的电流。
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