[发明专利]三轴磁传感器的封装方法及其封装结构有效
| 申请号： | 201110087325.4 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102738385A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 段志伟;陈慧 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;G01V3/40 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三轴磁传感器的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴磁传感器芯片，将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术，可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构，同时也实现了成本的最低化。 | ||
| 搜索关键词： | 三轴磁 传感器 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种三轴磁传感器的封装方法，其特征在于：其包括有以下步骤：提供ASIC圆片，其上设置有焊盘； 提供三轴磁传感器芯片，对三轴磁传感器芯片进行凸点工艺处理；将ASIC圆片上的焊盘进行再分布；将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护；将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。
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