[发明专利]一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法无效
| 申请号： | 201110087571.X | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102157643A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李程程;徐智谋;刘文;孙堂友;吴小锋;徐晓丽 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;G03F7/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法，包括（1）在蓝宝石衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层，形成GaN基LED外延结构片；（2）对纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）制备具有与所述硬模板互补图案的软模板；（4）在外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层；（5）紫外压印经蒸镀处理后的器件，脱模，形成具有光子晶体的图案片；（6）刻蚀所述图案片，进行后续处理即可制得光子晶体LED。本发明利用纳米压印紫外胶层和蒸镀掩膜层相结合作为掩膜，能够克服GaN外延片表面不平整而导致压印困难的问题，从而使光子晶体的有效孔深更大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 压印 制备 gan 光子 晶体 led 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法，包括如下步骤：(1)在蓝宝石衬底上依次外延生长N‑GaN层、多量子阱有源区和P‑GaN层，形成GaN基LED外延结构片；(2)对纳米压印硬模板进行防粘处理；(3)利用热压印制备具有与所述硬模板互补图案的软模板；(4)在所述GaN基LED外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层；(5)利用所制备的软模板紫外压印经蒸镀处理后的器件，脱模，形成具有光子晶体的图案片；(6)利用耦合等离子(ICP)或反应离子束(RIE)刻蚀所述图案片，将所述图案片进行后续处理即可制得光子晶体LED。
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