[发明专利]一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110087854.4 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122937A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 薛玉明;杨保和;宋殿友;潘宏刚;朱亚东;刘君;辛治军 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层立方氮化硼薄膜构成，所述立方氮化硼薄膜是厚度为0.4-0.6µm的纳米薄膜，其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室，对金刚石衬底表面进行等离子体清洗，再采用磁控溅射工艺在金刚石衬底表面沉积一层立方氮化硼薄膜。本发明的优点是：本发明提供了一种用于高性能声表面波（SAW）器件的高相速压电薄膜，用其制备的SAW器件频率高（≥2.5GHz），且可以承受大功率（≥37dBm），可以满足高频率和/或大功率移动通信的要求；本发明提供的该高相速压电薄膜的制备方法，工艺条件方便易行，有利于大规模的推广应用，具有重大的生产实践意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表面波 器件 高相速 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜，其特征在于：由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层立方氮化硼（c‑BN）薄膜构成，所述立方氮化硼c‑BN薄膜是厚度为0.4‑0.6µm的纳米薄膜。
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