[发明专利]一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器有效
申请号: | 201110087934.X | 申请日: | 2011-04-08 |
公开(公告)号: | CN102226715A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 程国安;吴绍龙;郑瑞廷 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;B81B7/04;B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公布了一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器,属于纳米材料性能和应用领域。特征在于利用光吸收性能优异的一维硅纳米结构阵列的光电化学响应特性实现可见光的探测。器件制备过程及所需设备相对简单,可控性良好,光响应度较高。器件构建过程主要包括:(1)利用金属催化各向异性化学腐蚀法制备一维硅纳米结构阵列;(2)利用磁控溅射或真空蒸镀技术在一维硅纳米结构阵列背面沉积导电层,并进行退火处理形成一维硅纳米结构阵列光电极;(3)以一维硅纳米结构阵列光电极为基础,构建可见光电化学探测器。本发明利用一维硅纳米结构阵列的高光电化学响应特性构建了可见光电化学探测器,拓展了半导体纳米材料的应用领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 一维硅 纳米 结构 阵列 可见光 电化学 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器,其特征是利用一维硅纳米结构阵列的光电化学响应实现光的探测,器件构造过程相对简单,主要包括:一维硅纳米结构阵列的制备;一维硅纳米结构阵列的光电极制备;以一维硅纳米结构阵列为光电极的可见光电化学探测器构建。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学,未经北京师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110087934.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:农田排水自动控制装置
- 下一篇:双频表面淬火装置